Определение термина DDR SDRAM [DOUBLE DATA RATE SDRAM] и что он означает. Память. Словарь компьютерных и технических терминов, глоссарий
  Компьютерный портал Hardvision Digital Сделать домашней Добавить в Избранное Обновить Напишите нам!
На главную | Карта портала | Реклама на сайте | Сегодня Среда, 19 июня 2019
Видео, графика Звук Материнские платы Мониторы, дисплеи Носители информации Коммуникации и сети Сотовая связь
Общая тематика Принтеры Программное обеспечение Процессоры Память Электроника Компьютерная безопасность
Поиск

Последние новости

 Читать еще новости
»
»
»
»
»
»
»
»
»
»

Хочу на портале

Мы рассмотрим все Ваши предложения и пожелания!

 

Словарь компьютерных и технических терминов, глоссарий

Память


DDR SDRAM [Double Data Rate SDRAM]

По мере увеличения быстродействия микропроцессоров эффективное быстродействие элементов памяти становится узким местом компьютерных систем. Если частоты микропроцессоров давно превысили частоты системной шины, то шина памяти до самого последнего времени работала синхронно с последней. Значения этих частот явно указывались в спецификации на типы синхронной динамической памяти SDRAM: PC66, затем PC100 и наконец PC133. Однако в то время как частота шины памяти увеличилась на треть и соответственно на столько же возросла ее пропускная способность (с 800 Мб/с до 1064 Мб/с), частоты микропроцессоров повысились в два с половиной раза - с 400 МГц до 1 ГГц. Действительно, если пропускная способность PC133 SDRAM составляет лишь 1064 Мб/с, то современным ПК требуется вдвое большая полоса пропускания (1 Гб/с для микропроцессора с частотой системной шины 133 МГц, столько же для графической шины AGP 4x и 132 Мб/с для 33 МГц шины PCI, что в сумме составляет более 2 Гб/с).


Системная плата на базе набора AMD 760 с микропроцессором Athlon и памятью DDR SDRAM.

Однако дальнейшее повышение тактовой частоты для микросхем SDRAM было неперспективным. Уже с тактовой частоты 166 МГц память SDRAM получается слишком дорогой, особенно с учетом объемов ОЗУ современных компьютеров. Требовалось найти простое технологическое решение, которое и воплотилось в DDR SDRAM. Попутно отметим, что корпорация Intel (http://www.intel.com) первоначально отнеслась к памяти SDRAM, работающей на частоте 133 МГц, отрицательно. Высшие руководители корпорации неоднократно заявляли о своей позиции по этому вопросу. Действительно, стратегические планы Intel предусматривали переход от спецификации PC100 для модулей с частотой 100 МГц к архитектуре Rambus DRAM, способной обеспечить качественный скачок в быстродействии памяти. Впервые эта технология увидела свет в 1995 г. в графических рабочих станциях. Ее ключевыми элементами являются ячейки Rambus, схема соединения микросхем (Rambus Channel) и модули памяти Rambus. В 1996 г. консорциум RDRAM получил поддержку со стороны корпорации Intel.

Практически одновременно, в начале осени 1998 г., три крупнейшие японские компании - производители микросхем памяти: Fujitsu (http://www.fujitsu.com), Hitachi (http://www.hitachi.com), Mitsubishi (http://www.mitsubishi.com) - анонсировали 64-мегабитные микросхемы DDR SDRAM. Первое время подобные устройства часто называли SDRAM II, поскольку они являются следующим поколением существующих микросхем синхронной памяти SDRAM и основаны примерно на тех же принципах. В свою очередь, для обычных элементов памяти SDRAM привилось название SDR (Single Data Rate).

Напомним, что микросхемы синхронной памяти используют конвейерную архитектуру и, кроме того, внутренний доступ типа "пинг-понг" к нескольким (обычно четырем) блокам памяти с чередованием адресов. Синхронизация работы SDRAM позволяет контроллеру памяти точно знать время готовности данных.

Память DDR SDRAM сохранила архитектуру, количество банков, тонкие малогабаритные корпуса типа TSOP (Thin Small-Outline Package) и сам технологический процесс производства SDRAM, однако включает некоторые схемотехнические усовершенствования, которые позволяют существенно увеличить ее быстродействие. В частности, здесь применена еще более жесткая синхронизация работы устройства. В функциональную структуру введены схемы DDL (Delay Locked Loop), обеспечивающие для сигналов стробирования данных цикл с фиксированной задержкой. Используя эти сигналы, контроллер памяти более точно осуществляет синхронизацию данных, поступающих от разных модулей памяти одного банка. Микросхемы DDR SDRAM по сравнению с SDRAM фактически увеличивают скорость доступа к данным вдвое при одной и той же частоте. Дело в том, что применение DDR SDRAM дает возможность читать информацию как по переднему, так и по заднему фронту сигнала таймера. Кроме того, частота работы повышается за счет применения интерфейсных логических схем с еще более пониженным уровнем питания. Если для SDRAM обычно используются схемотехнические решения на базе LVTTL (Low Volt Transistor-to-Transistor Logic) с напряжением питания 3,3 В, то в DDR SDRAM - на базе SSTL (Stub Series Terminated Logic) с напряжением 2,5 В (а в перспективе и SSTL-2 с напряжением 1,25 В). Емкость современных микросхем DDR SDRAM составляет 64, 128 и 256 Мб. В следующем году ожидается выпуск кристаллов, хранящих 512 Мб и 1 Гб.

Форм-фактор модулей DDR SDRAM изменился, число контактов увеличилось со 168 до 184, а иное положение ключа не позволяет вставить модули DIMM DDR в разъемы для SDRAM.

В декабре 1998 г., когда Intel уже продолжительное время поддерживала Rumbus DRAM, была одобрена открытая спецификация DDR SDRAM, не требующая от использующих ее производителей никаких лицензионных отчислений. Несколько месяцев спустя получил одобрение стандарт на 184-контактные модули DIMM, а также была закончена работа над спецификацией графической памяти DDR SGRAM. Дело в том, что первыми микросхемами DDR воспользовались фирмы - производители графических ускорителей.

Как и в случае с PC133 SDRAM, основным сторонником новой спецификации выступила корпорация VIA Technologies (http://www.via.com.tw), к тому времени четко ориентировавшаяся на архитектуры, альтернативные Rambus DRAM. Свой вклад в продвижение DDR SDRAM внесла и корпорация IBM (http://www.ibm.com), объявившая о намерении применить эту технологию ко всем своим серверам. Но IBM заинтересована не только в DDR SDRAM для серверов: ее подразделение IBM Microelectronics разрабатывает DIMM-модули памяти DDR SDRAM и для ПК. Аналитики отмечают, что элементы памяти Rambus DRAM в довольно крупных объемах использует лишь компания Dell Computer. Такие компьютерные гиганты, как Hewlett-Packard и Compaq Computer, хотя и объявили о поддержке этой технологии, применяют ее пока мало.

В отличие от спецификации Rambus DRAM, где за основу берется результирующая частота (тактовая частота, помноженная на два пакета данных за такт), например, PC600, PC700, PC800, компании, разрабатывавшие DDR SDRAM, выбрали для ее обозначения пиковую пропускную способность. Таким образом, в настоящее время существует два типа модулей памяти DDR SDRAM - PC1600 для тактовой частоты 100 МГц (8 байтx200 МГц = 1600 Мб/с) и PC2100 для 133 МГц (8 байт x 266 МГц = 2100 Мб/с). Все устройства DDR SDRAM соответствуют спецификации JEDEC (Joint Electron Devices Engineering Council, http://www.jedec.org).

На выставке Computex, которая летом этого года прошла на Тайване, представители ряда крупнейших фирм - производителей устройств памяти (в том числе Hyundai Electronics Industries, Micron Technology и Samsung Electronics) объявили о своем намерении поддерживать технологию DDR SDRAM. По мнению многих экспертов, поддержка архитектуры DDR SDRAM - вполне естественный шаг как для производителей микросхем памяти, так и для поставщиков компьютеров, поскольку в данном случае в производство достаточно внести минимальные изменения, не требующие больших затрат, а пропускная способность по сравнению с технологией SDRAM удвоится. Ожидается, что на начальном этапе микросхемы DDR SDRAM будут стоить примерно на 3-5% дороже современных микросхем, но уже скоро эти различия исчезнут. Расходы производителей системных плат возрастут приблизительно на несколько долларов за счет установки дополнительных компонентов. Между тем технология Rambus DRAM предусматривает смену всей инфраструктуры производства модулей памяти и оборудования, предназначенного для тестирования. Кроме того, производители памяти должны оплатить лицензионный сбор компании Rambus.

DDR SDRAM - это прежде всего открытый стандарт, который предоставляет существенную свободу в разработке решений под этот тип памяти. При этом печатные платы для DDR-модулей практически полностью повторяют их аналоги, используемые для SDR-модулей, а следовательно, в коренном переоборудовании производственных линий нет необходимости. В итоге это не только сэкономит время и средства, но и даст возможность осуществлять гибкое планирование производства.

До недавнего времени представители Intel активно защищали технологию Rambus, отмечая, что она обеспечивает достаточную производительность для перспективных микропроцессоров, которые будут работать на тактовой частоте 1,5 ГГц. Впрочем, уже в начале осени, по данным CNET (http://www.news.com), президент и главный исполнительный директор Intel Крейг Баррет в интервью газете Financial Times признал, что концентрация компании исключительно на Rambus DRAM является ошибкой. А поскольку Intel особенно не акцентировала внимания на Rambus DRAM на своем форуме разработчиков IDF 2000, есть все основания ожидать коренных перемен в позиции корпорации по этому вопросу.

В массовое производство DDR SDRAM уже запущена, и появления компьютеров, оснащенных этим типом памяти, в широкой продаже следует ожидать в начале будущего года. Как уже отмечалось, на сегодняшний день максимальная частота DDR SDRAM составляет 133 МГц (эффективная - 266 МГц), что обеспечивает пропускную способность шины памяти до 2,1 Гб/с. Однако это далеко не предел. В середине 2001 г. могут быть выпущены DDR SDRAM 150 МГц (эффективная частота 300 МГц) с пропускной способностью до 2400 Мб/с (PC2400), а затем, в конце того же года, фирмы-производители планируют представить DDR SDRAM 167 МГц, работающую на эффективной частоте 333 МГц и обеспечивающую пропускную способность до 2700 Мб/с (PC2700), и даже PC3200, PC4000, и новый вид памяти DDR-II (DDR-2) PC4200.

Стандарт модулей DIMM DDR SDRAM предполагает использование кристаллов, работающих на частотах до 200 МГц (эффективная частота 400 МГц), с пропускной способностью до 3200 Мб/с. Для более производительных решений предназначен новый стандарт памяти, называемый DDR-II, который появится не ранее 2003 г. В модулях с обновленным форм-фактором будет задействовано уже 230 контактов. Предполагается, что тактовая частота микросхем DDR-II начнется со 100 МГц, но за счет того, что за один такт будет передаваться четыре пакета данных, их пропускная способность должна сразу составить 3200 Мб/с. Следовательно, можно ожидать четырехкратного роста производительности кристаллов DDR-II при увеличении тактовой частоты (32 байта за такт): 150 МГц обеспечат пропускную способность 4800 Мб/с, а 200 МГц - 6400 Мб/с.


Все еще ищите незнакомое вам слово или его определение? Хотите знать что это значит? Сообщите нам! Мы найдем нужный Вам материал и вышлим ссылку на адрес эл. почты.

Другие термины


Последние термины в этой категории
Топ 10 в этой категории
32-bit accessed RAM
ALU [arithmetic and logic unit] АЛУ [арифметико-логическое устройство]
CAS [column address strobe] Строб адреса столбца
Cache Кэш
CF [CompactFlash]
CRAM [card random access memory]
DRAM [dynamic random access memory] Динамическое ОЗУ
ECC [Error Correcting Code]
MRAM [magnetic random-access memory]
on-chip data RAM
 
Access time Время доступа
DDR SDRAM [Double Data Rate SDRAM]
SIMM [single in-line memory module] Модуль памяти с одинарным входом
RAM [random-access memory] ОЗУ [оперативное запоминающее устройство]
SDRAM [Synchronouse DRAM] Синхронное ОЗУ
DIMM [dual in-line memory module] Модуль памяти со спаренным входом
BEDO DRAM [Burst EDO DRAM] Пакетная EDO DRAM
RIMM [Rambus Inline Memory Module]
EDO DRAM [Extended Data Output Dynamic Random Access Memory] Динамическая память произвольного доступа с расширенным выво
C-RIMM [Continuity-RIMM]

Осталные термины в данной категории

32-bit accessed RAM
Access time
ALU [arithmetic and logic unit]
BEDO DRAM [Burst EDO DRAM]
C-RIMM [Continuity-RIMM]
Cache
CAS [column address strobe]
CF [CompactFlash]
CRAM [card random access memory]
Cycle time
DDR SDRAM [Double Data Rate SDRAM]
DIMM [dual in-line memory module]
DRAM Idle Timer
DRAM Refresh Mode
DRAM [dynamic random access memory]
ECC [Error Correcting Code]
EDO DRAM [Extended Data Output Dynamic Random Access Memory]
FPM RAM [Fast Page Mode RAM]
MRAM [magnetic random-access memory]
on-chip data RAM
QDRAM [quad-data RAM]
RAM [random-access memory]
RAS [row address strobe]
RDRAM [Rambus DRAM]
RIMM [Rambus Inline Memory Module]
SDRAM [Synchronouse DRAM]
SGRAM [Synchronous Graphics Random Access Memory]
SIMM [single in-line memory module]
SRAM [static random access memory]

Последние термины

 » Читать еще термины
»100Base-FX
»IEEE [Institute of Electrical and Electronics Engineers] » ИИЭЭ [Институт инженеров по электротехнике и электронике]
»ANSI [American National Standards Institute] » НИС [Национальный Институт Стандартизации США]
»OSI [open system interconnection] » ВОС [Взаимодействие открытых систем]
»ISO [International Standards Organization] » МОС [Международная Организация по стандартизации]
»OSI model » Модель OSI
»data link layer » Канальный уровень
»network layer » Сетевой уровень
»transport layer » Транспортный уровень
»session layer » Сеансовый уровень
»PY [phisical layer] » Физический уровень
»representation layer » Представительский уровень
»application layer » Прикладной уровень
»100Base-T
»100Base-TX

Рассылка
Файлы
Новости
Статьи


Авторские права HardVision Digital © 2001-2019 | Дизайн и программирование by {digit}
При использовании материалов сайта, ссылка на источник обязательна.
Ведется регулярная проверка ворованного контента в Интернете алгоритмом Copyscape.
Рейтинг@Mail.ru