Рост рынка DRAM зависит от 4 компаний » Компьютерные новости,
  Компьютерный портал Hardvision Digital Сделать домашней Добавить в Избранное Обновить Напишите нам!
На главную | Карта портала | Реклама на сайте | Сегодня Воскресенье, 28 ноября 2021
Новости компьютеров Новости софта Новости Интернет Архив новостей
Поиск


Хочу на портале

Мы рассмотрим все Ваши предложения и пожелания!

 

Фотоальбомы, фоторамки, печать фотографий

Компьютерные новости »

Рост рынка DRAM зависит от 4 компаний

Добавлено 15.07.2004 | Новости ПК | Просмотров 3354 Обсудить на форуме!

Как считают специалисты iSuppli, продолжительность расширения мирового рынка памяти во многом зависит от всего 4 производителей памяти и темпов их перехода к использованию норм 90-нм техпроцесса. Согласно последним оценкам от различных аналитических компаний, 'темп задают' Samsung, Micron, Hynix и Infineon, чья суммарная рыночная доля составляет около 79%. Все эти компании планируют начать переход на новый техпроцесс в первой половине 2005 года, а это означает, что статус кво на рынке сохранится в течение всего 2004 и начале 2005 года; в частности, выход годных к использованию микросхем, выполненных по 90-нм технологии, будет низким и на протяжении 2005 года, что ограничит темпы роста производства DRAM в мировом масштабе и ставя поставки памяти и ценообразование в зависимость от четверки лидеров. Рост рынка в терминах суммарной плотности выпущенных микросхем DRAM в 2004 году составит около 40%, что, во-первых, ниже прошлогодних показателей (44%), а, во-вторых, гораздо ниже 'исторически сложившегося' 70% роста.

В 2005 году, по оценкам аналитиков, рост рынка составит 45%; ситуация начнет улучшаться лишь в 2006 году, когда ежегодный рост выпуска составит 60%, однако, именно в этот период может наблюдаться перенасыщение рынка, что, в конечном итоге, приведет к 30% снижению доходов от продаж DRAM, которое и закончит 4-летний цикл роста сектора DRAM.
Из четырех лидеров рынка первым на коммерческое производство микросхем, выполненных по 90-нм техпроцессу, перейдет, как ожидается, Samsung, которая уже в настоящее время 'обкатывает' технологию на производственной линии Line 12 (правда, выпуская флэш-память). Infineon и Micron наметили путь постепенного перехода на 90-нм технологию, предложив, в частности, новую архитектуру ячеек памяти. Hynix также должна ускорить переход на 90-нм техпроцесс - в частности, об этом сказано в меморандуме о взаимопонимании, подписанного с ProMOS, партнером корейского производителя.

Если производители памяти задержатся с началом перехода на новый техпроцесс до второй половины 2005 года, объемы выпуска годных к использованию микросхем DRAM, выполненных по 0,11 и 0,10-мкм технологиям, приведут к увеличению поставок памяти на рынок и снижению цен. При таком развитии ситуации упадок рынка DRAM начнется не в 2006 году, как предполагается в настоящее время, а уже в конце 2005 года. Среди других факторов, которые повлияют на поставки DRAM в ближайшие годы, будет переход к выпуску микросхем на новых 300-мм фабриках. К концу 2005-началу 2006 года серийное производство на своих первых таких фабриках начнут Hynix и Micron, Powerchip Semiconductor - на второй 300-мм фабрике; примерно в этот же период времени ожидается начало серийного выпуска микросхем на 300-мм подложках Samsung и Infineon.

« предыдущая новость | в архив новостей | следующая новость »


Комментарии посетителей


Ваш комментарий

Ваше имя
Осталось знаков:
Текст сообщения

* Можно ввести не более 300 символов!


Другие новости

Последние ""
ТОП 10 ""
 

Последние новости

 Читать еще новости
»
»
»
»
»
»
»
»
»
»
»
»
»
»
»

Последние новости

 Читать еще новости
»
»
»
»
»
»
»
»
»
»

Рассылка
Файлы
Новости
Статьи


Авторские права HardVision Digital © 2001-2021 | Дизайн и программирование by {digit}
При использовании материалов сайта, ссылка на источник обязательна.
Ведется регулярная проверка ворованного контента в Интернете алгоритмом Copyscape.